研究人員發現,采用共沉淀技術可以有效地將金屬陽離子吸附到具有優良導電性的碲納米線表面,加入有機配體溶液后,配體與碲納米線表面的金屬離子配位形成MOF晶核,晶核生長成為MOF晶體,最終將碲納米線原位嵌入到MOF中。經過熱處理后,可制備出具有等級多孔結構的多金屬氧化物納米復合材料(如圖)。


圖:Te@ZnCo2O4制備過程及電化學性能

圖:Te@ZnCo2O4制備過程及電化學性能


    該類納米復合材料在0.01-3.0V電壓范圍,以100mAg-1電流密度充放電100次后,比容量穩定在956mAhg-1以上;當充放電流密度為2000mAg-1時,比容量仍高達307mAhg-1,顯示出優良的電化學儲能特性。

    相關研究結果發表在Adv. Funct. Mater., 2017, 27, 1604941-1604947;ACS Energy Lett., 2017, 2, 1564-1570;Chem. Eur. J., 2016, 22, 1467-1474;ACS Nano, 2015, 9, 1592-1599;Nanoscale, 2014, 6, 5509-5515 和J. Mater. Chem. A, 2014, 2, 8048-8053等學術期刊上。該系列研究工作得到國家自然科學基金委的項目資助。
 
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